• +7 (495) 911-01-26
  • Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Логика трудных решений

Логика трудных решений

Парадоксальным образом пересекаются актуальная необходимость в импортозамещении с требованием развивать собственные критические технологии.

Логика вполне понятна – решать насущные задачи приходится здесь и сейчас, особенно в условиях цивилизационного противостояния. А с другой стороны, любое замещение – суть игра в догонялки, попытки имеющимися средствами воспроизвести попавшие под санкции устройства, оборудование, механизмы, комплектующие и т. п.

Хотя в ряде областей, особенно в военной сфере, мы находимся на передовых позициях, общая картина вызывает множество вопросов. Тем более что, хоть крах глобализационного проекта и является благом для государств, обладающих полноценным суверенитетом, следствием его явилось разрушение системы международного разделения труда (МРТ), то есть специализации государств на производстве и изготовлении определённых видов продукции, которыми они обмениваются в ходе мировой торговли. Не исключено, что такое разделение труда было изначально задумано как изощрённая форма экономического, сырьевого и технологического колониализма, надолго, если не навсегда, фиксирующего место и роль региональных образований. Судя по возникновению новых политико-экономических союзов, такое разделение явно принимает кластерный характер. К тому же выясняется, что без обладания некоторыми критическими технологиями, а также без формирования особой культуры производства, даже с учётом превосходства в областях, напрямую и косвенно связанных с оборонительным потенциалом государства, могут возникнуть проблемы, решение которых потребует чрезмерного напряжения сил и средств. В этом плане весьма характерным примером является история и современное состояние нашей микроэлектроники.

Не было гвоздя –

Подкова пропала.

Не было подковы –

Лошадь захромала.

Лошадь захромала –

Командир убит.

Конница разбита –

Армия бежит.

Враг вступает в город,

Пленных не щадя,

Оттого, что в кузнице

Не было гвоздя.

С. Маршак, «Гвоздь и подкова»

1

Родившимся в конце прошлого века и в начале нынешнего трудно себе представить мир без смартфонов, компьютеров, Интернета. Не говоря уже о том, что весьма затруднительно найти бытовой прибор без микроэлектронной компоненты (или попросту чипов). Насыщенность такого рода устройств в обыденном сознании порождает конспирологические теории о чипировании населения, что в реальности пока невозможно, страх тотальной «цифровизации», что на самом деле уже происходит, и т. п. Но эти материи оставим специалистам в области социальных фобий.

Между тем сама история средств обработки информации – от абака древности до электронно-вычислительных машин (ЭВМ) наших дней – показывает, как медленная наработка и усложнение аппаратной основы после возникновения некоторых критических технологий приводит к взрывообразному развитию, одновременно способствуя прогрессу в самых неожиданных областях и сферах бытия. Напомним, как всё начиналось.

Древняя система абак сохранилась как бухгалтерские счёты чуть ли не до наших дней. Для более сложных расчётов инженеры и учёные долгое время использовали логарифмическую линейку, созданную в 1622 году математиком (и англиканским священником) Уильямом Отредом. Через двадцать лет французский математик Блез Паскаль создал так называемый суммирующий механизм, который складывал восьмиразрядные числа. Но первый полноценный арифмометр, который выполнял основные арифметические операции с десятичными числами: сложение, вычитание, умножение и деление, а также извлечение корней (квадратного, кубического) и возведение в степень – был изобретён немецким математиком Готфридом Лейбницем в 1673 году. Но это были «штучные» аппараты, поэтому что первым в мире механическим калькулятором массового производства и на то время единственным механическим калькулятором, достаточно надёжным для использования в таких местах, как правительственные учреждения, банки, страховые компании и обсерватории, было устройство французского изобретателя и предпринимателя Шарля де Кольмара. Он создал прототип в 1820 году, в 1857‑м наладил его выпуск, который продолжался до 1914 года.

Впрочем, самым массовым и дошедшим почти до наших дней был арифмометр Вильгодта Однера, российского механика шведского происхождения. Прототип был создан в 1877 году, а промышленное производство началось в 1890‑м в Санкт-Петербурге. Через тридцать лет фабрика Однера была национализирована советской властью, и устройство переименовали в «Феликс». Впрочем, в разных странах аналогичные арифмометры выпускались до второй половины прошлого века.

2

При всех на то время достоинствах арифмометров у них было слабое звено – человек. То есть переход от одной операции к другой делался руками, и достаточно было одной ошибки в последовательности действий, чтобы долгие подсчёты пошли насмарку. Именно поэтому предшественником современных ЭВМ считают устройство, которое само могло переходить к следующей операции после выполнения предыдущей. Речь идёт о машине Бэббиджа.

Английский математик Чарлз Бэббидж в 1822 году создал первую версию работающей модели на паровом двигателе, которая могла производить вычисления и печатать цифровые таблицы. В машине, которую он назвал «аналитической», была предусмотрена память для хранения чисел, а операции производили по программе, записанной на жаккардовых перфокартах. Напомним, что на ткацких станках французского изобретателя Жозефа Жаккарда узор ткани задавался дырочками в картонных перфокартах.

Считается, что первым в мире программистом стала Ада Лавлейс, дочь поэта Джорджа Байрона, которая разрабатывала первые программы для машины своего учителя Бэббиджа, а также ввела ряд понятий и терминов, сохранившихся до наших дней. Вплоть до идеи об искусственном интеллекте! История её жизни достойна отдельной публикации.

Попытки собрать полноценную машину Бэббидж продолжал до 1847 года. Построить работающую машину ему так и не удалось, и причиной были не только финансовые проблемы, но и технологическое несовершенство высокоточной обработки металлов. Дело оставалось за малым – избавиться от механических составляющих вычислительной машины, то есть от шестерёнок.

Между тем через 40 лет появилось электромеханическое устройство для автоматической обработки, конкретно – суммирования и категоризации числовой и буквенной информации, записанной на перфокартах с круглыми отверстиями, а также выдачи результатов на бумажную ленту или специальные бланки. Изобретателем этого «дедушки» современных ЭВМ был американец Герман Холлерит. Он назвал своё устройство табулятором, а основную задачу своего изобретения видел в ускорении обработки результатов переписи населения США в 1890 году. Ручная обработка бланков переписи 1880 года шла восемь лет, а переписи, согласно американской конституции, полагалось производить каждые десять лет. Вообще-то идея использовать перфокарты для их обработки принадлежала Джону Шоу Биллингсу, высокопоставленному чиновнику бюро переписи и, кстати, будущему тестю Холлерита. Короче, табулятор был построен, результаты обработаны быстро и относительно недорого, а Холлерит в 1896 году основал предприятие «Компания табулирующих машин». Со временем оно объединилось с другими компаниями и стало называться Computing Tabulating Recording (CTR). В 1924 году это название было изменено на International Business Machines Corporation, ныне всемирно известное как IBM. В наши дни в IBM стараются не вспоминать, что в годы Второй мировой войны корпорация сотрудничала с нацистами и её табуляторы широко применялись как для каталогизации узников концлагерей, так и при переписи населения для выявления «унтерменшей».

Интересно, что в США разновидности табуляторов на перфокартах использовались до 1960 года, пока не начали работать машины на электронных компонентах. Но до этого момента были попытки выжать из имеющихся технологий всё, что можно. По линии доэлектронных устройств можно назвать Z3 немецкого инженера Конрада Цузе, который в 1941 году создал первую работающую цифровую, универсальную и программируемую с помощью перфорированной киноплёнки вычислительную машину. Это электромеханическое устройство работало на базе реле.

Нечто подобное создал в 1944 году учёный Гарвардского университета Говард Айкен. Это была первая в США релейно-механическая цифровая вычислительная машина МАРК‑1. В ней использовалась десятичная система счисления, но в счётчиках и регистрах памяти применялись зубчатые колёса, как в машине Бэббиджа. В том же году англичане создали цифровое электронное устройство Colossus Mark 1. Но компьютером его не считают, он был заточен только на разгадку немецких кодов, своего рода ответ на шифровальную машину «Энигма».

3

Традиционно считается, что первый «настоящий» компьютер явился миру в 1945 году, когда американцы Джон Моучли и Джон Эккерт задействовали ЕNIАС (Electronic Numerical Integrator and Calculator) – полностью электронный цифровой вычислитель для широкого спектра задач. Вообще-то проект Моучли и Эккерта был разработан в 1942 году, но, возможно, он так и пылился бы в архивах, если бы им не заинтересовались военные. Проект, естественно, засекретили, и в итоге две сотни специалистов собрали тридцатитонную махину о 17468 лампах. ЕNIАС, располагающийся на 300 м 2, мог выполнять 5000 операций сложения в секунду. Лампы всё время перегорали, но это не помешало использовать ЭВМ для расчётов во время создания водородной бомбы. В 1951 году Моучли и Эккерт выпустили коммерческий продукт UNIVAC – первый электронный компьютер общего назначения, который сохранял 1000 слов и 12000 цифр и работал со скоростью 455 операций в секунду.

Но в США, стране, нашпигованной юристами, как сало чесноком, некий районный суд принял решение, по которому в 1973 году, после десятилетней патентной тяжбы, «изобретателем первого компьютера» был назван Джон Атанасов, который в конце 30‑х годов вместе со своим помощником Клиффордом Берри построил ламповую ЭВМ с электронной памятью и устройством сложения и вычитания. Но их машина Atanasoff–Berry Computer (ABC) не получила широкого применения и огласки, а во время судебного процесса выяснилось, что в 1940 году Атанасов подробно рассказал на одной из конференций о своём замысле Джону Моучли, сам Моучли позднее гостил в доме у Атанасова, а Берри продемонстрировал ему работу АВС.

А в Европе дела шли с некоторым запозданием. Первый компьютер был создан под руководством одного из основоположников советской вычислительной техники Сергея Лебедева. В 1947 году Лебедев организовал в киевском Институте электротехники лабораторию моделирования и вычислительной техники, в которой в 1948–1950 годах была разработана первая в СССР и континентальной Европе Малая электронно-счётная машина (МЭСМ). В 1950 году его пригласили в московский Институт точной механики и вычислительной техники (ИТМиВТ) АН СССР. Там он руководил созданием БЭСМ‑1, а с 1952 года являлся директором ИТМиВТ, который впоследствии получил его имя. Забегая вперёд, отметим, что под его руководством были созданы 15 типов ЭВМ, начиная с ламповых (БЭСМ‑1, БЭСМ‑2, М‑20) и заканчивая современными суперкомпьютерами на интегральных схемах. Кстати, Лебедев резко выступал против начавшегося в 1970‑е годы копирования американской системы IBM 360, воплощённой в серии ЕС ЭВМ. Но об этом чуть погодя…

Ламповые ЭВМ принято относить к первому поколению компьютеров. В их число вошли и созданные в СССР в различных структурах такие машины, как МЭСМ, БЭСМ, «Минск‑1», «Минск‑12», «Минск‑20», «Стрела», «Урал», «Урал‑2» и другие. Но их время уже подходило к концу. Начиналось десятилетие ЭВМ второго поколения.

Дело в том, что в 1947 году был создан заменивший вакуумную лампу транзистор. Через несколько лет начался их массовый выпуск, который привёл к миниатюризации почти всех электронных устройств. Почётным званием первого целиком транзисторного компьютера до сих пор эксперты наделяют Harwell CADET (1955) либо прототип транзисторного калькулятора IBM 604. Есть и другие претенденты, но первую коммерческую машину, выпущенную на рынок, – транзисторный калькулятор IBM 608, анонсировали в 1955 году, а сам промышленный выпуск начался в 1957‑м. Почти сразу за IBM подтянулись со своими разработками Австрия, Италия, Канада, Япония и некоторые другие страны. К этому времени начали создаваться программы на алгоритмических языках, появилась GMНАА – первая операционная система для компьютеров, созданная в 1955 году Робертом Патриком из General Motors и Оуэном Моком из North American Aviation. Но развитие операционных систем – это другая история.

У нас тоже появились ЭВМ второго поколения – «Минск‑22, -32», «Урaл‑14, -16», «БЭСМ‑3, -4, -6», «М‑220, -222» и др. Но даже БЭСМ‑6 по уровню микроэлектронной элементной базы уступала американской CDC 6600 – первому в мире суперкомпьютеру, созданному американской компанией Control Data Corporation в 1963 году под руководством инженера Сеймура Крэя, которого прозвали «отцом суперкомпьютеров». Дело в том, что в БЭСМ‑6 использовались 60 тысяч германиевых транзисторов и 180 тысяч полупроводниковых диодов, а в CDC – шесть тысяч типовых модулей по 400 тысяч транзисторов в каждом. Причём транзисторы не на кристаллах германия, параметры которого зависят от температуры, а на кремниевых кристаллах. Тем не менее БЭСМ‑6 за счёт инновационной архитектуры устройства машины по производительности был близок CDC 6600.

Уже тогда была замечена тенденция – стоило массово появиться машинам одного поколения, как одновременно готовилась база для следующего. Речь идёт об интегральных схемах, которые легли в основу компьютеров третьего поколения. Собственно говоря, интегральные схемы – это те же транзисторы, только соединённые не поштучно, а как бы «напечатанные» на особой подложке. Кстати, от другого названия интегральной схемы – микросхемы – пошло название чип (англ. chip: «тонкая пластинка», первоначально термин относился к пластинке кристалла микросхемы).

4

Сама идея объединить множество стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника была выдвинута в 1952 году английским радиотехником Джеффри Даммером. Но тогда не имелось технологических предпосылок для реализации этой идеи. Они появились в 1959 году, когда один из основателей электроники, американский инженер Эдуард Кеонджян, разработал первый прототип интегральной схемы (ИС). А через пару лет произошёл прорыв – научились компоновать в ИС не стандартные транзисторы, а их различные конфигурации, в зависимости от их функций в схеме.

В СССР первая микросхема была создана в 1961 году в Таганрогском радиотехническом институте (ТРТИ) под руководством Леонарда Колесова. А в 1963–1965 годах в НИИ точной технологии была разработана гибридная толстоплёночная ИС, серийное производство которой началось в 1965 году. Напомним, что толстоплёночными называются ИС с толщиной плёнок 10–70 мкм, которые изготавливают методом трафаретной печати. То есть наносят на керамическую подложку специальные пасты со свойствами полупроводников, сопротивлений или изоляторов, продавливая их через сетчатый трафарет, а затем подвергая термообработке, чтобы в итоге образовалась монолитная структура.

В это время уже вовсю шли работы над сверхбольшими ИС (СБИС), то есть такими, в которых степень объединения в одном кристалле превышала 104 элемента. Считается, что это начало появления ЭВМ четвёртого поколения, но тут, скорее всего, имеет место маркетинговая уловка. Принципиальной разницы между первыми СБИС, которые с тех пор стали называть микропроцессорами, и современными, в которые втиснуто под 40 миллиардов транзисторов, кроме количественной, не имеется. Скорее всего под четвёртое поколение подойдут квантовые компьютеры, но это пока штучные экземпляры, товар сомнительной ценности.

Между тем в середине 1960‑х годов в СССР были созданы первые массовые производства интегральных микросхем, что позволило создавать более сложные и эффективные электронные устройства. Страна хоть и была на втором месте по разработке новых технологий в микроэлектронике, но отставание было не очень заметным. Тогда же в Зеленограде начали разрабатывать ЭВМ на микропроцессорах. Был создан универсальный комплект микропроцессорных схем с оригинальной архитектурой «Электроника НЦ». Однако в 1981 году Министерство электронной промышленности приняло решение о прекращении работ по «Электронике НЦ» и переходе к прямому копированию архитектуры американских машин. К этому времени отставание нашей компонентной базы было фактом очевидным и нескрываемым. Но, как считают многие историки науки и специалисты в области информационных технологий, роковые события, которые привели к принципиальному отказу от собственных разработок, произошли ещё в 1967 году, когда отечественная микроэлектроника довольно-таки успешно стартовала.

Более того, в СССР был создан единственный в мире работающий «троичный» компьютер «Сетунь». В отличие от всех других машин, он использовал соответственные системы счисления, логики и алгоритмы работы – как двоичные, так и троичные. В современных машинах применяется булева (бинарная) логика, подразумевающая лишь два возможных состояния – «0» или «1» (истинно – ложно, да – нет), названная так в честь английского математика XIX века Джорджа Буля. Разработка «Сетуни» под руководством математика Сергея Соболева началась в 1959 году в вычислительном центре МГУ имени М. В. Ломоносова.

Преимущества троичного компьютера по сравнению с двоичным заключалась, во‑первых, в наибольшей плотности записи информации среди всех целочисленных систем счисления, то есть при прочих равных они более производительны; во‑вторых, они лучше приспособлены к троичным алгоритмам, которые работают быстрее двоичных; в‑третьих, они могут делать всё, что делают двоичные компьютеры. Завод математических машин (Казань) выпустил 50 компьютеров «Сетунь», из которых 30 были распределены по университетам. В 1970 году была создана «Сетунь‑70», но на магистральную линию развития компьютеров она не повлияла.

В наши дни время от времени просыпается интерес к таким машинам, но конкурировать с огромными корпорациями, производящими «двоичные» машины, «троичные» проекты не смогут, хотя не исключено, что на каком-то этапе развития искусственных нейросетей к ним ещё вернутся.

5

Итак, к концу 60‑х годов выяснилось, что у нас могут и умеют разрабатывать уникальные ЭВМ, но, увы, по принципу «кто в лес, а кто по дрова». В одном из номеров газеты «Правда» выходит статья, в которой говорится о том, что для советских специалистов никаких сложных технических секретов, которые препятствовали бы интенсивному развитию вычислительной техники и эффективному её применению, нет. Но, говорится далее в статье, большинство недостатков в этой области связано с организационной неопределённостью. Необходимость единой политики в производстве вычислительной техники становится очевидной. А это требует централизации производства. Статья в главной газете страны появилась после того, как на комиссии по вычислительной технике АН СССР и ГКНТ (Госкомитета по науке и технике) под председательством академика Анатолия Дородницына было предложено принять, вместо имеющихся разнородных советских архитектур для создания унифицированной линейки ЭВМ, архитектуру IBM 360 «с целью возможного использования того задела программ, который можно полагать имеющимся для системы 360».

Собственно говоря, это и была точка невозврата, как полагают многие авторы публикаций о судьбах микроэлектроники как в СССР, так и в современной России. Но насколько справедливы обвинения в недальновидности и стратегических просчётах лиц, ответственных за эти решения? Имелись ли для этого объективные причины?

На первый взгляд кажется, что при правильном выборе собственной разработки и концентрации на ней сил и средств можно было догнать и перегнать западных конкурентов. Тем более что исторически такие примеры есть, начиная от Петра I, который чуть ли не пинками загонял Россию в лоно западной цивилизации (а заодно создал империю), до Сталина, который якобы, по словам Черчилля, принял Россию с сохой, а оставил с атомной бомбой. Хотя на самом деле слова, близкие по смыслу к этому выражению, принадлежат троцкисту Исааку Дойчеру в его некрологе на смерть Сталина, дело вовсе не результатах трудов любого правителя и даже, по большому счёту, не в цене за достижение этих результатов, а в исторических обстоятельствах, в которых они действуют.

А такие обстоятельства для России редко бывали благоприятными, особенно в прошлом веке. Поражение в русскояпонской войне, Первая мировая война и предательство союзников, падение дома Романовых, гибель Империи в огне гражданской войны, разруха, долгое мучительное восстановление, вынужденная лихорадочная индустриализация в преддверии новой большой войны, Великая Отечественная, полстраны в руинах, восстановление и атомная, а затем и космическая гонки, Хрущёв с его безумными экспериментами, в результате которых, в частности, пришлось закупать зерно за границей, растрачивая золотой запас… Как говаривал Бисмарк, политика – это искусство возможного, но с другой стороны его поправлял Ленин: политика – это концентрированное выражение экономики. А у народа был простой и короткий вариант – по одёжке протягивай ножки.

Именно поэтому при плановой экономике проблемы распределения ресурсов приобретали особую остроту, которая усугублялась ведомственными склоками за перетягивание одеяла на свою отрасль, на долгие и унылые согласования мало-мальски значимых решений и т. п. К тому же нахождение, как тогда говорилось, во враждебном окружении… Приходилось много тратить на оборонные нужды.

Рационально мыслящие политики имели представление о реальном уровне развития тех или иных областей промышленности и технологии как у нас, так и у противостоящей системы. А тут ещё сработало политическое клише «Догнать и перегнать» (развитые капиталистические страны, позже – Америку) – часто цитируемые слова из работы Ленина «Грозящая катастрофа и как с ней бороться» (1917), которые в устах некоторых деятелей превратились в прямую директиву.

К тому же после окончания Второй мировой войны «союзники» быстро «переобулись», и началась так называемая «холодная война», второе издание которой, быстро переходящее в горячую фазу, мы сейчас наблюдаем. Что характерно, санкции начали применять уже тогда. И советское технологические отставание в микроэлектронике во многом обязано «режиму КОКОМ».

В 1949 году был принят «Акт о контроле за экспортом»  (The Export Control Act), который ограничивал американскую торговлю с «советским блоком», давая президенту США право объявлять эмбарго на поставку любых товаров. За ним в 1951 году приняли «Акт о взаимопомощи в сфере обороны» (The Mutual Defence Assistance Act) – теперь президент мог уменьшить или прекратить помощь странам, которые поставляли СССР товары, находящиеся под эмбарго. И в том же 1951 же году был создан Координационный комитет для многостороннего контроля за экспортом (The Coordinating Committee for Multilateral Export Controls, COCOM), в который вошли все страны НАТО. Основной целью КОКОМ было предотвращение продажи в «советский блок» всего необходимого для производства оружия, боеприпасов и военных систем. Вводилось и понятие «товары двойного назначения», то есть товар или изделие могут быть использованы как в гражданских, так и в военных целях. И большинство компьютеров попадали именно в эту категорию.

6

На менталитет лиц, принимающих решения, повлиял и опыт действий в таких неблагоприятных условиях. Сказывались отсутствие производственной базы, недостаток квалифицированной рабочей силы, не говоря уже о культуре производства, которую привить вчерашним крестьянам было очень трудно. Это не западный рабочий, который может чуть что – оказаться на улице, а там выживай как знаешь, или даже предприниматель, которого недобросовестный конкурент может съесть с потрохами и пустить по миру. Пресловутая западная культура производства культивировалась, пардон за тавтологию, в условиях не так давно отменённого детского труда, в условиях, когда любого безработного можно было загнать в «работный дом», когда локауты (массовые увольнения) были обычным делом – и не помогут ни профком, ни партком, ввиду их полного отсутствия.

В этом смысле идея «догнать», то есть научиться работать хорошо и выдавать качественную продукцию, но не за страх, а за совесть, была, в общем-то, правильной для своего времени. Но, увы, не учитывающей особенности национального производства. К тому же шапкозакидательские обещания в некоторые годы нашей истории воспринимались властью очень болезненно, если они оказывались неисполненными.

Короче говоря, к концу 1980‑х годов в СССР имела место большая нехватка микросхем со сверхбольшой степенью интеграции (СБИС). Для их производства требовались высокие уровни точности, чистоты, сложности и миниатюризации. В лабораторных условиях это осуществлялось, в промышленных масштабах – не очень. Достаточно вспомнить, что после отбраковки выход пригодных для использования компонент приближался к 10 процентам, тогда как в США составлял более 85 процентов. Наши компоненты памяти при этом не превышали 64 Кбит, а в Штатах уже серийно выпускались от 256 КБит до 1 Мегабита. Тема отбраковки в наши дни становится злободневной и для самых передовых производств, и к этой теме мы ещё вернёмся.

Поскольку возможность наладить устойчивое производство на собственном оборудовании стремительно уменьшалась, в СССР совершались закупки западного оборудования в обход санкций. Обходить их умели чуть ли не с первых лет советской власти. Немало помогла и разведка, показавшая свою эффективность во время работ над атомным проектом. В 80‑х же, как правило, для вывоза нужного оборудования использовались различные совместные предприятия по выпуску какой-либо безобидной продукции. А подлежащие эмбарго товары через третьи и четвёртые руки и нейтральные страны рано или поздно доходили до покупателя. Другое дело, что в производстве микропроцессоров пытались приобрести или попросту позаимствовать не самые лучшие и новые образцы. А затем, снимая с чипа слой за слоем, пытались расшифровать архитектуру микропроцессора.

Но и это мало помогало. Согласно наблюдению, изначально сделанному Гордоном Муром, количество транзисторов, размещаемых на кристалле ИС, удваивается каждые два года. А каждый новый скачок требовал значительной реновации оборудования, а то и полной замены на принципиально новое. Но если оборудование в крайнем случае можно хитро позаимствовать, то с сырьём тоже не всё было благополучно.

Мы знаем, что микросхемы печатают методом фотолитографии на специальных машинах для того, чтобы сформировать на кремниевой подложке заданное изображение микросхемы. На кремниевую пластину наносят тончайший слой светочувствительного полимера – фоторезиста, который облучают через оптическую систему, проявляют и обрабатывают поверхность. Процесс повторяется несколько десятков раз. Между слоями находится слой изолятора. В итоге в зависимости от продвинутости технологии возникают тысячи, миллионы, миллиарды не соединённых между собой транзисторов. А вот порядок их соединения зависит от архитектуры процессора, которую обычно держат в секрете. Затем следует проверка каждой микросхемы, 300‑миллиметровые пластины разрезают на 100–150 отдельных чипов и оснащают защитой кристалла от механических повреждений и отвода тепла.

Так вот, проблемы у нас начались ещё на этапе производства этих пластин. Их нарезают из монокристаллического кремния, выращенного из расплава методом, разработанным польским учёным Яном Чохральским. А для этого необходим поликристаллический кремний, из расплава которого и вытягивают монокристалл. Поликремний в СССР производился в небольшом количестве и на западном оборудовании, но были жалобы на низкое качество кристаллов, откуда и низкий процент качественных ИС. Тогда так и не удалось наладить выпуск высокоточных резцов с алмазным напылением, и приходилось закупать машины для резки по цене от 100 тысяч долларов и выше. А использование своей техники приводило к росту брака – при разломе матрицы на компоненты для ИС многие из них трескаются, снижая выход качественной продукции.

В общем, отставание с каждым годом становилось всё сильнее, и это не могло не сказаться на стартовых условиях Российского государства, перешедшего на другие социально-экономические рельсы. Но несмотря на всю сложность современного исторического момента, ситуация с микроэлектроникой заметно улучшается.

7

Производство кремниевых пластин, жизненно необходимых для создания микрочипов, как мы уже говорили, сталкивается с рядом технологических проблем. Требуют быстрого ответа вопросы о чистоте продукции, о борьбе с высоким количеством брака в изделиях и т. п. Но время от времени приходится слышать голоса экспертов о том, чтобы не зацикливаться на выпуске 300‑миллиметровых пластин, а сразу переходить к количественной или даже качественной ≪смене парадигмы≫, чтобы выйти из группы вечно догоняющих. Насколько реализуемы такие благие пожелания?

Количественный переход на первый взгляд очевиден – предлагается просто увеличить диаметр пластины до 450 миллиметров. Этой идее почти десять лет, и кажется странным, что до сих пор она не реализована, хотя и не позабыта. С одной стороны, такое увеличение площади пластины, а стало быть и количества чипов на ней, должно привести к удешевлению стоимости каждого чипа чуть ли не на треть. Трудозатраты тоже уменьшатся почти на 15 процентов. Но, с другой стороны, возрастёт почти на 50 процентов стоимость литографического оборудования, а на химические реактивы – аж на 70 процентов.

В принципе, эти затраты со временем могут окупиться, если хорошо налаженное производство массовым выпуском относительно дешёвых чипов обойдёт конкурентов или же полностью обеспечит отечественных потребителей. Однако некоторые аспекты создания кремниевых пластин пока ещё не имеют оптимального решения. Причём уже на начальной стадии.

Как мы уже рассказывали, монокристалл кремния, который потом нарезается на пластины, выращивается из расплава с помощью затравочного кристалла, который медленно вытягивается вверх. Но переход на новый размер увеличит вес монокристалла почти до тонны, следовательно, потребуются новые кварцевые тигли. Необходимо также разработать принципиально новую систему поддержки кристалла, а ведь малейшая вибрация делает выращенный кристалл негодным, и надо его переплавить, чтобы заново вырастить. На охлаждение ≪толстого≫ кристалла уйдёт больше времени и т. д.

Тем не менее все проблемы производства больших пластин, как мы видим, носят даже не технологический, а технический характер, то есть не требуют революционных преобразований в цепочке операций по их созданию и обработке. Отсюда неизбежно у ≪экспертов≫ может появиться соблазн обвинить принимающие решения структуры в нежелании сделать рывок и, как говорится, обогнать на повороте тех, кого ещё только догоняем, пока лидеры гонки сами не начали ≪выпекать большие блины≫. И вот тут выясняется, что ситуация с лидерами вроде бы сложная, хотя, если копнуть, то достаточно простая.

Одним из лидеров, то есть крупным производителем микросхем, является, как известно, расположенная на Тайване компания TSMC. Казалось бы, им и карты в руки, так как в 2012 году эта компания объявила о плане строительства новой фабрики по производству 450‑миллиметровых пластин. Фабрику собирались строить пять лет, а затраты предполагались в пределах 10 миллиардов долларов. Интерес к большим пластинам проявили и другие крупнейшие производители микрочипов. Более того, ещё в 2008 году трио лидеров: Intel, Samsung и TSMC – объявили о планах по сотрудничеству и совместной разработке технологий, необходимых для скорейшего перехода на 450 миллиметров. А в 2011 году возник консорциум Global 450mm Consortium для разработки производственного оборудования и инструментов, необходимых для производства таких пластин, в который вошли также американские компании IBM и GlobalFoundries.

Смотрим по сторонам и спрашиваем: где большие пластины? Уж эти-то компании не были отягощены проблемами, с которыми сталкивались и до сих пор сталкиваются наши производители, разгребая последствия ≪геополитической катастрофы≫. Так вот, первой в 2012 году сошла с дистанции Intel, за ней через пару лет TSMC, а к 2017 году отпали и остальные. Причины, которые приводили участники консорциума, были самые разные, но за всеми высокими словами проглядывала тривиальная картина.

Лучший аналог – велосипедные гонки на большую дистанцию. Там есть такое понятие, как ≪гонка за лидером≫, – то есть пристроиться за тем, кто всех опережает, напрягая все силы, но в нужный момент нажать на педали и вырваться вперёд. Если вы наблюдали, как происходят такие гонки, то могли заметить, как лидер начинает двигаться всё медленнее и медленнее, как бы провоцируя соперников вырваться вперёд, но и те не лыком шиты, тоже замедляют ход, и вся группа ползёт по треку еле-еле, дожидаясь, у кого первого сдадут нервы.

Такая же ситуация возникла и с большими пластинами. Руководство компаний логично предположило, что те из них, что будут вкладываться в новые производства, потеряют темп выпуска микрочипов, а те, кто останется на старых 300‑миллиметровых пластинах, будут наращивать выпуск всё более и более продвинутых изделий. Короче говоря, все дружно отложили переход на большой диаметр и устремились в гонку за нанометрами. И итоге южнокорейский Samsung и TSMC почти одновременно финишировали на пяти и четырёх нанометрах и сейчас соревнуются за выход на три нанометра. О том, имеет ли смысл нам подключаться к этой гонке, поговорим чуть позже.

8

Некоторые линии развития перспективных технологий производства микрочипов имели шансы на развитие, особенно в эпоху нарастающего продвижения человечества в космическое пространства. Проекты орбитальных космических заводов, выпускающих уникальные и сверхчистые материалы, в том числе и для микроэлектроники, получали экспериментальное воплощение задолго до долговременных экспедиций на МКС. И c 1969 года на борту отечественных космических аппаратов начали проводиться технологические эксперименты для получения кристаллов полупроводников с высокой однородностью структуры и свойств.

Исследовали влияния невесомости на процессы плавления и кристаллизации, предполагая, что будут получены материалы с лучшими, чем на Земле, свойствами. Эксперименты велись как на советской орбитальной станции «Мир», так и на американской «Скайлэб», а в более поздние времена, например, в 2007 году, – на тяжёлом российском научно-исследовательском спутнике «Фотон М‑3».

Но где-то через год при подведении итогов многолетних исследований констатировали, что монокристаллы полупроводников, выращенные на борту космических аппаратов, по совокупности свойств были не лучше полученных в земных условиях. И было решено, что основная задача космических технологий заключается не в серийном производстве «космических кристаллов», а в использовании полученных в космосе новых знаний о процессах кристаллизации в земных технологиях.

Справедливости ради отметим, что практические разработки по созданию орбитальных заводов были приостановлены раньше, приблизительно в 1986 году. В начале 80‑х были получены весьма обнадёживающие результаты при выращивании в космосе с помощью экспериментальной установки «Сплав» монокристаллов кремния и германия, причём брак из-за дефектов на атомарном уровне был фантастически ничтожным. Предполагалось собрать орбитальный завод из поочерёдно выводимых в космос блоков, а обслуживать его должны были сменяемые бригады, которые и должны были с собой привозить полуфабрикат, а возвращаясь – забирать готовые кристаллы. Но «гласность», «перестройка», «ускорение» и прочие почти забытые реалии тех лет оборвали и эту линию развития отечественной микроэлектроники. Однако не всё так плохо, как может показаться.

В настоящее время близятся к завершению работы над прототипом установки для синтеза полупроводниковых структур на МКС. Опытный образец такой «минифабрики», созданный в новосибирском Институте физики полупроводников (ИФП) имени А. В. Ржанова, будет состыкован с макетом МКС в Ракетно-космической корпорации (РКК) «Энергия». Главный конструктор проекта, заведующий лабораторией ИФП Александр Никифоров, в одном из интервью сообщил, что в рамках проекта «Экран» комплексные испытания опытного образца и изготовление лётной установки будут завершены к 2025 году. Установка спроектирована так, чтобы синтез полупроводникового материала происходил автоматически. Космонавту нужно будет провести лишь некоторые подготовительные этапы и присоединить кассету с подложками арсенида галлия. В процессе работы сама установка будет отсоединена от МКС, чтобы не подвергаться воздействию от вибрации, вызываемой работой множества моторчиков, вентиляторов и иных приборов. После завершения процессов синтеза она пристыковывается к МКС, космонавт снимает кассету и отправляет на Землю в спускаемом модуле. Выглядит, возможно, не так впечатляюще, как в иллюстрациях к фантастическим романам, но это только первые шаги к реальным космическим производствам. Тем более что подобных работ в мире пока ещё нигде не ведётся.

Технологически реализация проекта «Экран» кажется вполне достижимой. Но «слабым звеном» проекта является сама МКС. В последние годы разговоры вокруг целесообразности её дальнейшего существования наливаются зловещей конкретикой, не вполне понятно, будут ли продлены сроки её эксплуатации, а в свете бессмысленной чехарды с санкциями никто не может гарантировать, что наши «заклятые партнёры» в какой-то момент не захотят отсоединить свой сегмент или провести очередную диверсию, наподобие просверленной дырки в обшивке нашего сектора. Впрочем, не исключено, что нарастающее противостояние между нами и коллективным Западом поможет ускорить процесс создания полностью российской станции.

9

Мы упомянули металл галлий. Если в 40‑х года прошлого века, на заре полупроводниковой «транзисторной» революции, исследователи и производственники имели дело в основном сначала с германием, а позже – с кремнием, то со временем начались поиски новых материалов для улучшения транзисторных параметров, таких как устойчивость к нагреву, высокому напряжению, радиации и т. п. Поиски новых металлов и их соединений ведутся давно, но вопросы массового производства пластин на их основе начали проясняться лишь в последнее десятилетие.

В конце 60‑х годов прошлого века интерес разработчиков к соединениям галлия, особенно к его химическому соединению с мышьяком (арсенид галлия, GaAs), привёл к его использованию для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений. Арсенид галлия стали называть материалом будущего, в 90‑х годах казалось: вот-вот – и он уберёт из номенклатуры кремний, как в своё время кремний убрал германий.

Но время шло, хрупкость кристаллической решётки арсенида галлия, мешающая выращивать кристаллы большого диаметра, и некоторые другие «капризы» вели в серийном производстве к весьма небольшому количеству годных кристаллов. Отсюда и высокая цена конечной продукции, что, в свою очередь, приводило к тому, что интегральные схемы на GaAs были доступны тем, кто мог легко распоряжаться деньгами. То есть военно-космическим структурам. Ситуацию усугублял тот факт, что пока счёт на количество транзисторов в чипе на базе GaAs шёл на десятки тысяч, на кремниевой подложке он уже перевалил за миллионы. В принципе, устройства на базе GaAs вполне могли бы занять свою нишу высокочастотных и стойких к радиации продуктов, если бы она уже не была занята кремнием.

У нас работы по арсениду галлия велись на зеленоградском «Микроне» с середины 80‑х до середины 90‑х, но сейчас, насколько известно из открытых источников, все выпускаемые изделия основаны на кремнии. Что в очередной раз иллюстрирует известную поговорку о синице в руках и журавле в небе.

Но тема галлия на этом отнюдь не закрывается, а напротив – получает новое развитие. Речь идёт об оксиде галлия Ga2O3. В отличие от арсенида галлия, он менее требователен к добавкам, которые позволяют управлять его параметрами, а это упрощает и удешевляет производство кристаллов с параметрами, которые в ближайшей перспективе позволят конкурировать с кремнием. При этом кристаллы Ga2O3 можно выращивать практически на том же оборудовании, что и кремниевые, хотя в настоящее время их диаметр не превышает 100 миллиметров.

На таких пластинах с помощью литографов можно напечатать сверхбольшие интегральные схемы, обладающие уникальной устойчивостью к проходящим через них токам. Так, ещё в 2012 году японцы создали транзистор на основе кристаллического оксида галлия с предельной, то есть приводящей к физическому разрушению образца, величиной пропускаемого напряжения более 250 В.

В наши дни достигнут более высокий уровень стойкости. Тут надо помнить, что современная микроэлектроника – это не только гонка за нанометрами в угоду потребителю новых смартфонов, процессоров и видеокарт для домашних компьютеров. Практически все современные технологии и промышленные производства опираются на использование, если можно так сказать, силовых микрокомпонент. Например, если преобразователь на кремниевых микросхемах, работающий под напряжением 1200 В и потребляющий около 3 кВт мощности, способен оперировать с частотой 20 кГц, то аналогичный на основе карбида кремния SiC при той же мощности держит около 150 кГц. Устройство на основе оксида галлия спокойно выходит на 1 МГц. Не вдаваясь в детали, отметим, что массовый выпуск таких изделий требует инженерно-технических решений. Дело в том, что оксид галлия имеет пять различных кристаллических фаз: α, β, γ, δ и ε. Наиболее стабильной и подходящей для полупроводников является β-фаза, однако её не получить из расплава при атмосферном давлении, так как при охлаждении она переходит в α-фазу. То есть для выращивания кристаллов β-фазы необходимо использовать высокое давление.

Однако недавно китайские специалисты из Чжэцзянского университета разработали новый метод роста кристаллов оксида галлия из расплава при обычном давлении. Выяснилось, что если добавить в расплав небольшое количество других элементов, то β-фаза стабилизируется и при охлаждении не переходит в α-фазу. А учёные из Университета науки и технологии Китая синтезировали гетероструктуры (то есть выращенные на подложке структуры, состоящие из слоёв различных материалов) на основе Ga2O3 и других полупроводников с помощью метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Метод заключается в том, что атомы или молекулы разных материалов осаждаются на подложку в виде тонких слоёв, что создаёт гетероструктуры с высокой степенью однородности и точности. Это прямой выход на создание микрокомпонентов на основе оксида галлия, которые, как мы говорили, могут работать при более высоких напряжениях и температурах, потреблять меньше энергии, занимать меньше места и быть более дешёвыми в производстве приборов для таких областей, как военная электроника, силовая электроника, оптоэлектроника, биомедицина, безопасность и т. п. Но остаётся вопрос о себестоимости такой продукции, поскольку для выращивания кристаллов Ga2O3 используются недешёвые добавки из так называемых редкоземельных металлов. И вот здесь находится тот самый поворот, на котором мы можем вырваться вперёд хоть и не в гонке за нанометрами, но в весьма востребованном производстве.

10

Недавно в наших СМИ прошла информация о том, что российские специалисты готовы к революционному прорыву в области производства дешёвых пластин на основе оксида галлия. Базирующаяся в Зеленограде компания «Рокор», входящая в Особую экономическую зону (ОЭЗ) «Технополис Москва», не только разработала уникальную технологию производства монокристаллических пластин, но и успешно внедрила её в производство, готовясь к их массовому выпуску, в том числе и для внешних рынков.

В одном из своих интервью руководитель Департамента инвестиционной и промышленной политики Москвы Владислав Овчинский пояснил, что эти пластины позволят создавать полупроводниковые материалы последнего, четвёртого поколения. Изготавливать такие изделия значительно дешевле, чем привычные кремниевые, так как в них не применяется дорогой редкоземельный металл иридий. То есть отечественная технология экономически более выгодна и перспективна, поскольку, по предварительным оценкам, такая пластина стоит около 3000 долларов, тогда как такая же 100‑миллиметровая японская – около 6400 долларов. Эксперты ОЭЗ «Технополис Москва» считают, что для выхода на мировой рынок наших пластин из оксида галлия потребуется максимум полтора-два года, а это даст компании «Рокор» фору как минимум на пять-восемь лет. Некоторые эксперты полагают, что вместо того чтобы бороться за ликвидацию отставания в кремниевых технологиях, надо бросить все силы на рывок к широкомасштабному производству продуктов на основе оксида галлия.

Но тут, как в известном анекдоте, есть нюанс. Во‑первых, к решениям такого уровня надо подходить максимально взвешенно, поскольку они требуют больших ресурсов, как финансовых, так и производственных. Во‑вторых, недавно Китай ограничил продажу галлия, а ведь именно он обеспечивал почти на 85 процентов потребности в этом металле. Поэтому либо надо будет договариваться, либо изыскивать собственные ресурсы, либо иметь свои козыри в рукаве.

Таким козырем может оказаться отечественное производство подложек из сапфира, которые выпускает ставропольский завод «Монокристалл», обеспечивающий 80 процентов всех мировых потребностей. Как известно, сапфировые подложки в основном применяются для производства двух типов продукции: светодиодной техники и прочих продуктов, созданных по технологии «нитрид галлия на сапфире», причём на долю этого сегмента приходится 92 процента совокупного потребления сапфировых подложек; и высокочастотных интегральных схем, созданных по технологии «кремний на сапфире», но доля этого сегмента гораздо меньше, поскольку используется в специфических областях. Производство таких подложек требует нулевой сейсмической активности, что затруднительно в Китае, Южной Корее, США и Японии.

Впрочем, не так давно, лет десять тому назад, китайцы попытались недорого купить технологию выращивания сапфиров, а заодно переманить некоторых сотрудников. В принципе, большого секрета в этой технологии нет – надо расплавить оксид алюминия при температуре около 2000 градусов, а потом, постепенно снижая температуру, добиться начала кристаллизации. Так на «Монокристалле» выращивается 18–20 тонн искусственного сапфира. Но тонкости производства, так называемые «ноу-хау», наработанные десятилетиями, и являются главной ценностью.

Стоит поучиться у китайцев бесцеремонности, с которой они берут своё там, где его находят. В условиях глобальных тектонических сдвигов вопросы интеллектуальной собственности, патентного права и прочих достижений относительно спокойных периодов мировой истории отходят на второй план, а международные соглашения уступают место стратегической и тактической целесообразности.

Так или иначе, проблема сырья будет решена, и тогда у «Рокора» есть шанс для перехода от силовой к вычислительной электронике и начала производства чипов с применением уже имеющихся у нас производственных мощностей на 300, 250 и 130 нм. А со временем и более современных чипов. Разумеется, на самые передовые на 7, 5 и 3 нм замахиваться пока рано, но и тут невольно возникает вопрос – а надо ли к этому сейчас стремиться?

11

Гонка за нанометрами – зрелище увлекательное, особенно когда появляются сообщения о готовности к запуску в массовое производство чипов на 2 нм. Как известно, чем меньше нанометров, тем больше транзисторов размещается в микрочипе и тем выше его производительность.

Это важно в сборке самых продвинутых смартфонов и компьютеров, а также мощных графических процессоров для систем так называемых «облачных» вычислений. Казалось бы, выпуск таких чипов должен составлять большую часть от общего числа, ан нет, они составляют всего лишь десять процентов. А самыми массовыми, а стало быть, и дешёвыми являются микрочипы, изготовленные по 28 нм технологическому процессу. Именно они широко применяются в современной бытовой технике от холодильников, стиральных машин, микроволновых печей и телевизоров до автомобилей и самолётов.

Характерно, что тайваньская TSMC, которая в 2011 году впервые выпустил 28 мм чип, сейчас строит в Японии завод для выпуска именно 28 нм микрочипов. Планируется постройка такого же завода и Германии, да и сама TSMC собирается открыть на своей территории в городе Гаосюн 28 нм производственную линию.

А что у нас? Летом сего года Минпромторг выделил почти 10 миллиардов рублей на опытно-конструкторские работы (ОКР) по пяти направлениям, которые должны в итоге привести к созданию технологий и промышленных установок для выпуска микросхем с топологией в 250–65 нм. К 2026 году по одним направлениям должны быть разработаны типовые технологические процессы, а по другим – созданы опытные образцы устройств. Вообще-то ещё в начале 2020 года была утверждена стратегия развития электронной промышленности на период до 2030 года, в которой говорилось о строительстве фабрик, способных выпускать 28 нм чипы, а затем и 5 нм, но сроки не указывались. Как вскоре выяснилось, весьма благоразумно: известные события через пару лет, а также санкционная лихорадка, которая поразила наших заклятых партнёров, внесли свои коррективы.

В этих ОКР явно таится какой-то «хитрый план», поскольку сейчас наш лидер в области микроэлектроники – зеленоградский «Микрон» – массово выпускает чипы по 180–90 нм технологиям. Известно, что на предприятии также освоен и выпуск по топологии 65 нм, но весьма ограниченными партиями. В каком состоянии находится зеленоградский же «Ангстрем», пока сказать трудно, но в связи с проблемами по выполнению заказов он был передан под управление в государственную корпорацию «Ростех».

Вообще-то в 2020 году на площадке завода «Ангстрем» начали строить завод по производству 28 нм чипов, но ASML, голландский производитель фотолитографического оборудования для производства микрочипов, присоединился к санкциям, и ситуация вроде повисла в воздухе.

Ведутся работы и на востоке нашей страны. Предполагается, что новосибирский завод полупроводниковых приборов «Восток» к 2025 году начнёт производство микрочипов для экстремальных условий. Как пояснил генеральный директор АО «НЗПП Восток» Владимир Исюк, завод будет производить электронную компонентную базу для «умных» приборов, включая чипы, интегральные схемы, диоды, стабилитроны, операционные усилители, полупроводниковые приборы с проектными нормами до 0,25 микрон. Поскольку новую продукцию «Восток» будет производить под конкретные проекты Роскосмоса, Росатома или Оборонно-промышленного комплекса, то, по словам генерального директора: «Всё это спецэлектроника для работы в особо агрессивных и особо опасных условиях. Это не бытовая, не гражданская электроника, а то, что в воде не тонет, в огне не горит и при взрыве ядерного оружия продолжает функционировать». Более чем актуально, не правда ли?

Что касается 28 нм технологий, то тема не закрыта. Известно, что ведущий китайский производитель оборудования Shanghai MicroElectronics Equipment Group (SMEE) к концу этого года обещает вывести на рынок свою первую 28 нм литографическую установку. В свете крепнущего стратегического партнёрства с Китаем приобретение нашими технологами такой установки вполне реалистично, хотя могут быть и иные варианты сотрудничества. В любом случае необходимость создания собственных 28 нм литографических мощностей по-прежнему остаётся актуальной.

Китайцы вообще молодцы! Невзирая на санкции, они ведут собственные перспективные разработки для преодоления нанометрического предела. Летом китайским исследователям без особых производственных затрат удалось нарастить плёнку толщиной в один атом на 300‑миллиметровых пластинах. Ведущий учёный проекта, профессор Пекинского университета Лю Кай-хуэй, в своём интервью в частности сказал: «Новый метод выращивания плёнок означает, что больше нет ограничений по размеру пластин. Стратегия обеспечивает равномерное и достаточное поступление сырья в печь и устраняет предыдущее ограничение по размеру пластин. Мы также можем производить полупроводники большего размера, но 300‑миллиметровый – наиболее часто используемый размер». Одним словом, производство нового двумерного материала толщиной около одного атома – это переход на полупроводники следующего поколения.

***

Процесс развития отечественной микроэлектроники находится на такой стадии, что подводить какие-то даже предварительные итоги рано. Идут незаметные обывательскому глазу процессы, принимаются одни решения, отменяются другие. Какие-то, казалось бы, прогорающие компании внезапно обретают второе дыхание… В этом плане показательна история АО «МЦСТ» – российской частной компании, специализирующейся на разработке универсальных микропроцессоров и микроконтроллеров и разработавшей серию процессоров «Эльбрус». МЦСТ разработал собственную архитектуру процессоров, но производство находилось в пресловутой TSMC, что привело к известным последствиям. Однако, судя по просочившейся в СМИ информации, одна из самых эффективных государственных компаний, а именно «Росатом», приобрела наработки МЦСТ и собирается развивать технологии российских литографических сканеров, а также безмасочных рентген-литографов на базе синхротронного излучения. Дело в том, что лазерные технологии, применяемые в современных литографах, уже практически достигли своего предела.

Но это уже конкретные технологические детали, интересные разве что узким специалистам. Мы же можем лишь наблюдать, как медленно, но методично разбираются проблемы отечественной микроэлектроники и, по мере их преодоления, начать понимать логику принятия решений.

Марина ГЕВОРКЯН

Источник: «НиР» № 10-11, 2023


© 2024 Наука и религия | Создание сайта – UPix